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2022-12-23 15:30 浅语科技

意法半导体(简称ST)和半导体材料设计制造公司Soitec宣布了下一阶段的碳化硅(SiC)衬底合作计划,由意法半导体在今后18个月内完成对Soitec碳化硅衬底技术的产前认证测试。此次合作的目标是意法半导体采用Soitec的SmartSiC技术制造未来的8英寸碳化硅衬底,促进公司的碳化硅器件和模块制造业务,并在中期实现量产。

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碳化硅(SiC)是一种颠覆性的化合物半导体材料,在电动汽车和工业制程领域重要的高增长功率应用中,碳化硅材料的固有性质令碳化硅器件的性能和能效优于硅基半导体。IT之家了解到,碳化硅可以实现更高效的电源转换、更紧凑的轻量化设计,并节省整体系统设计成本——所有这些都是汽车和工业系统成功的关键参数和要素。从6英寸晶圆升级到8英寸晶圆,可以使制造集成电路的可用面积增加几乎一倍,每个晶圆上的有效出片量达到升级前的1.8-1.9倍,因此大幅增加产能。

SmartSiC是Soitec的专有技术,基于Soitec专有的SmartCut技术,从高质量碳化硅供体晶圆上切下一个薄层,将其粘合到待处理的低电阻多晶硅晶圆片表面。如此加工后的衬底可有效提高芯片的性能和制造良率。此外,优质的碳化硅供体晶圆可以多次重复使用,因此可以大幅降低供体加工的总能耗。

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